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【反超美韩？中企宣布芯片技术突破，外媒：美芯设计已被动摇！】


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导读：反超美韩？中企宣布芯片技术突破 ， 外媒：美芯设计已被动摇！众所周知 ， 在老美多次修改芯片规则以后 ， 就让我们意识到了发展自主半导体产业链的重要性；为了打造出属于我们自己的国产半导体产业链 ， 国内也制定了国产半导体产业发展的五年计划 ， 在2025年以前要实现国产芯片自给率70%；要想完成这一目标 ， 那么我们就必须要重点关注在半导体设计和制造领域的发展才行 ， 为此中企也一直在努力的研发和布局！

要知道 ， 在芯片制造领域 ， 台积电以及三星一直都是全球领先的巨头企业 ， 另外还有美光等美企的实力也不容小嘘；而在芯片设计领域 ， 美国的高通、英特尔、AMD等企业更是全球市场上的霸主 ， 我们想要进行反超也并不容易；不过这也并不意味着中企就没有机会 ， 如今国产长江存储突破了晶栈3.0架构 ， 而中国晶栈架构也开始反超美韩 ， 那么中企在芯片技术领域这一次又有哪些突破呢？

在半导体领域 ， 除了我们熟悉的CPU芯片以外 ， NAND闪存芯片也是非常重要的；在我们的日常生活中 ， 几乎所有的电子设备都需要搭载存储芯片才行 ， 随着存储芯片市场的不断发展 ， NAND闪存也开始成为了市场上的主流 ， 而在NAND闪存领域 ， 一直都被韩国三星、SK海力士以及美光等美韩巨头所垄断 ， 但长江存储经过不断的技术突破 ， 如今已经突破了晶栈3.0架构 ， 并为我们带来了领先的闪存芯片X3-9070产品 ， 而这也是对美韩技术的一次反超！

如今NAND闪存已经成为了全球半导体芯片市场上的的重要分支 ， 一般来说 ， NAND闪存主要看闪存颗粒层数 ， 层数越多 ， 那么性能就越可靠；这些年来韩国三星电子 ， SK海力士以及美光等巨头企业一直都在研发3D NAND闪存 ， 想要以此获得更高性能的突破 ， 而我国长江存储则独创性的研发出了晶栈?Xtackin架构技术；而这种架构设计技术可以让3D NAND具有更高的存储密度和传输速度 ， 而这也是长江存储在芯片技术领域的一次历史性的突破！对此外媒也表示：美芯设计已被动摇！

在中企的不断努力下 ， 长江存储正式发布了第四代3D TLC NAND闪存芯片X3-9070；这是首个量产的200层+3D NAND闪存芯片 ， 在性能上将提升50% ， 功耗降低25%；虽然说美韩巨头企业也都已经研发出了200+层数的3D NAND芯片 ， 但是它们并没有推出相关的领先产品 ， 而这不仅为中企提供了反超的机会 ， 而且也将让中企拿下更多的市场份额！

综合来看 ， 这几年 ， 在老美的极限打压之下 ， 也刺激了很多中企加快了自研的步伐 ， 而长江存储的技术突破也只是一个开始 ， 如今我国的龙芯中科还自主研发出了LoongArch架构 ， 而阿里平头哥也在研发RISC-V架构 ， 并受到了美企高通、英特尔等巨头企业的青睐 ， 并展开了相关的布局 ， 而芯片的好坏和芯片架构的研发和设计是有很大关系的 ， 而中企的突破 ， 也让我们在半导体领域夯实了基础的能力 ， 并让美芯设计的地位在架构层面被动摇；不知道对此你是怎么看的呢？