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众所周知 ， 由于老美修改全球芯片规则 ， 导致华为手机芯片断供 。 但是 ， 华为对于芯片的研发从未断过 ， 近日 ， 就有日媒消息称 ， 华为将于6 月 12 日～17 日举行的VLSI Symposium 2022（集成电路领域顶会）大会上， 发表其与中科院微电子研究所合作开发的3D DRAM技术 。
大伙都知道 ， DRAM是内存芯片（存储器） ， 也是手机芯片中最重要的核心部件 。 那华为与中科院开发的3D DRAM技术是什么？能否突破关键“根技术”？会给国内带来什么样的好处？

这项新3D DRAM技术是什么样的？说这项技术前 ， 先了解一下什么是3D DRAM 。 大家都知道DRAM是存储芯片 ， 就是手机上显示的4G/8G内存 ， 但是 ， 由于“摩尔定律”使其芯片尺寸越来越小 ， DRAM工艺萎缩变得越来越困难 。
因此 ， 很多内存芯片厂商就改变了研究路线 ， 就选择使用一种新型存储方式 ， 将存储单元堆叠至逻辑单元上方 ， 来实现单位面积上更高的容量 。 而这种新型堆叠存储方式 ， 就被定义为3D DRAM ， 也就是说它使用的是“堆叠技术” 。

那华为与中科院合作开发的3D DRAM技术 ， 有什么优势呢？
根据目前的情况 ， 可以发现其采用了新材料和新技术 ， 以实现工艺微缩 。 新技术方面 ， 使用了去年双方合作提出的垂直环形沟道器件结构（CAA）技术；新材料方面 ， 是用一种叫铟镓锌氧 IGZO-FET（由 In、Ga、Zn、O 组成的透明氧化物）材料来制造的 。
这么做的好处有如下几个好处：1、新CAA技术能支持多层堆叠 ， 又可以减少器件面积 ， 从而实现DRAM微缩 ， 即容量增大了又减少了面积；2、新材料铟镓锌氧IGZO-FET具有更可靠、更出色的温度稳定性 ， 也就是恒温性能好 。

是否从关键根技术进行突破？首先 ， 全球内存厂商正在考虑开发3D DRAM ， 因此该项技术整体来说 ， 大家都在同一起跑线上竞赛 。 内存领域三大巨头三星、SK海力士、美光 ， 都表示在该领域有所布局 ， 而且 ， 外媒还表示除了华为还有IBM、三星、英特尔等 ， 都将提出存储领域的新突破 。
其次 ， 谁能优先提出新的突破 ， 就能占据先机 。 而根据华为官方消息 ， 其早已在存储领域进行深度研究 ， 2021年8月就表示要针对数据存储领产业“根技术”进行突破 。 可见 ， 本次外媒传出华为要发布新3D DRAM技术 ， 也是研究了很久的技术 ， 要是率先发表一定是占了先机 。
最后 ， 以目前的情况来看 ， 华为和中科院所开发的新技术、新材料 ， 均是世界首次使用 。 而以三星来说 ， 据报道 ， 其已经在开发的是一种躺着堆叠单元的技术 ， 虽然三星于2022年1月中旬 ， 也表示考虑增加四面接触的 GAA技术或用于DRAM生产 。 但是 ， 相对来说 ， 目前中科院和华为的垂直环形沟道器件结构（CAA）技术更有优势点 。
总结来说
华为和中科院的新3D DRAM技术一旦发布 ， 那么 ， 在存储芯片技术方面 ， 他们就有望从根上突破了 。 当然了 ， 技术成果要转变成芯片量产 ， 还需要整个供应链的协作 ， 并不是代表芯片制造工艺也实现了突破 。

那会给国内芯片带来什么好处？【dram|外媒：华为将发表3DDRAM技术，能否从根上突破？会带来什么好处？】