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高通新一代高端芯片骁龙8 Gen 1芯片受到了国产手机品牌的热捧 ， 小米、联想都宣称自己才是首发骁龙8G1的手机企业 ， 不过在手机企业热捧的时候 ， 消费者却要当心这款芯片再现骁龙888的发热前例 。

小白测评拿到了首发骁龙8G1的 moto edge X30， 对此进行了测试比对 ， 结果显然让人失望 ， 骁龙8G1依然是发热界的扛把子 。
小白测评对比了骁龙870、骁龙888+、苹果A15和骁龙8G1 ， 在使用10分钟后测试的温度显示 ， 骁龙8G1手机的正面温度和背面温度都达到了60度 ， 背面温度比骁龙888+的62度低、正面温度则比骁龙888+的54度高 ， 显示出骁龙8G1依然是手机芯片界的扛把子 。

对比之下 ， 高通芯片近近三代产品中 ， 骁龙865系列依然是功耗表现最好的产品 ， 骁龙865采用7nm工艺 ， 而骁龙888采用了5nm工艺 ， 骁龙8G1则采用了4nm工艺 ， 更先进工艺却没能带来更好的功耗表现自然让人颇为失望 。

高通芯片的功耗过高可能存在两点原因 ， 一个是ARM的两代超大核心X1、X2的功耗实在太高 。 ARM的第一代64位高性能核心A57就曾出现严重的功耗过高问题 ， 最终仅有高通的骁龙810采用了A57核心 ， 而骁龙810也因功耗过高被手机企业纷纷放弃 ， 这次ARM的第一代超大核心X1依然存在功耗过高的问题 ， 而第二代超大核心X2的功耗依然过高就让人费解了 。
其次就是三星的工艺不过关 ， 此前digitimes以晶体管密度为参数 ， 分析了Intel、三星和台积电的先进工艺制程 ， 认为三星和台积电的7nm工艺才与Intel的10nm工艺相当 ， 而在7nm工艺之后三家芯片制造企业又再次出现分差 。

digitimes认为就晶体管密度而言 ， 三星的5nm工艺落后于台积电的5nm工艺 ， 预估三星的3nm工艺可能才稍微领先于台积电的5nm工艺 ， 三星的工艺制程实际性能表现不如预期应该也是导致高通的骁龙888和骁龙8G1功耗过高的原因 。
【高通骁龙|骁龙8G1仍然是发热界的扛把子，消费者别抢着买安卓旗舰手机了】这次高通的骁龙8G1还面临一个强劲的对手 ， 那就是联发科的天玑9000 ， 天玑9000的处理器核心架构和骁龙8G1完全一样 ， 都是单核X2+三核A79+四核A55 ， 不过天玑9000由台积电以4nm工艺生产 ， 在台积电的工艺比三星更先进的情况下 ， 天玑9000的功耗表现估计会比骁龙8G1优秀得多 。

高通连续两代高端芯片都存在功耗过高的问题 ， 势必会对高通的品牌声誉和市场份额造成负面影响 ， 当下联发科在全球手机芯片市场已取得接近四成份额 ， 而高通仅有24%左右的份额 ， 高端芯片又再度面临发热问题 ， 高通进一步衰退应该是可以预期的结果 。